창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRT55C10-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRT55C2V4~39-G | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOT-23 Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRT55C10-G | |
| 관련 링크 | CZRT55, CZRT55C10-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | MAL214099111E3 | 220µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 3000 Hrs @ 125°C | MAL214099111E3.pdf | |
![]() | VJ0402D300KXAAP | 30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D300KXAAP.pdf | |
![]() | 416F37023CTR | 37MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37023CTR.pdf | |
![]() | FN2080-10-06 | FILTER MULTI-STAGE HI PERF 10A | FN2080-10-06.pdf | |
![]() | CRCW02011K05FKED | RES SMD 1.05K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02011K05FKED.pdf | |
![]() | RNF18JBD3K30 | METAL FILM 0.125W 5% 3.3K OHM | RNF18JBD3K30.pdf | |
![]() | AD568SQZ | AD568SQZ AD DIP | AD568SQZ.pdf | |
![]() | 403GA-JC25C1 | 403GA-JC25C1 IBM SMD or Through Hole | 403GA-JC25C1.pdf | |
![]() | B43851F4476M008 | B43851F4476M008 EPCOS DIP | B43851F4476M008.pdf | |
![]() | HT-P178USDT-PMPN-13 | HT-P178USDT-PMPN-13 HARVATEK ROHS | HT-P178USDT-PMPN-13.pdf | |
![]() | NAWE330M10V5X5.5NBF | NAWE330M10V5X5.5NBF NIC SMD or Through Hole | NAWE330M10V5X5.5NBF.pdf | |
![]() | CMH02 | CMH02 TOSHIBA SOD106 | CMH02.pdf |