창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRT5241B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRT5222B~5256B-G Series | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration SOT-23 Series Material Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRT5241B-G | |
| 관련 링크 | CZRT52, CZRT5241B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | GL060F35IDT | 6MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL060F35IDT.pdf | |
![]() | AT0805DRE07165RL | RES SMD 165 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE07165RL.pdf | |
![]() | Y092650R0000F9L | RES 50 OHM 8W 1% TO220-4 | Y092650R0000F9L.pdf | |
![]() | RE75G 6.8OHMF | RE75G 6.8OHMF IWAKI SMD or Through Hole | RE75G 6.8OHMF.pdf | |
![]() | K6R1016V1CJC10000 | K6R1016V1CJC10000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R1016V1CJC10000.pdf | |
![]() | TMRN3150B1AF | TMRN3150B1AF TI QFP | TMRN3150B1AF.pdf | |
![]() | DBS400B18 | DBS400B18 COSEL SMD or Through Hole | DBS400B18.pdf | |
![]() | BGF100 | BGF100 INFINEON BGA | BGF100.pdf | |
![]() | PIC18F45J11-I/ML | PIC18F45J11-I/ML MICROCHIP dip sop | PIC18F45J11-I/ML.pdf | |
![]() | CSC9370DGP (IC) | CSC9370DGP (IC) ORIGINAL SMD or Through Hole | CSC9370DGP (IC).pdf | |
![]() | G65SC51PE4 | G65SC51PE4 CMDU DIP | G65SC51PE4.pdf | |
![]() | FW82805AA | FW82805AA INTEL SMD or Through Hole | FW82805AA.pdf |