창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZRF52C3V6-HF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZRF52C2~39-HF | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration CZRF(R) HF Series Material Declration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1005(2512 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1005/SOD-323F | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZRF52C3V6-HF | |
| 관련 링크 | CZRF52C, CZRF52C3V6-HF 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | SH8K12TB1 | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP | SH8K12TB1.pdf | |
![]() | B39421-R2528-B110 | B39421-R2528-B110 EPCOS SMD or Through Hole | B39421-R2528-B110.pdf | |
![]() | KS88C0116-B1D | KS88C0116-B1D SAM SMD or Through Hole | KS88C0116-B1D.pdf | |
![]() | MBRA3045NTU | MBRA3045NTU ST SMD or Through Hole | MBRA3045NTU.pdf | |
![]() | AN5133K | AN5133K PANASONIC DIP | AN5133K.pdf | |
![]() | PM29F002T-12F | PM29F002T-12F PMC DIP | PM29F002T-12F.pdf | |
![]() | C1608C0G1E103JT | C1608C0G1E103JT TDK SMD | C1608C0G1E103JT.pdf | |
![]() | ESGG30-08 | ESGG30-08 ORIGINAL SMD or Through Hole | ESGG30-08.pdf | |
![]() | SY3-0G157M-RD0 | SY3-0G157M-RD0 ELNA SMD or Through Hole | SY3-0G157M-RD0.pdf | |
![]() | PVG3G101C01B00 | PVG3G101C01B00 MURATA SMD or Through Hole | PVG3G101C01B00.pdf | |
![]() | K8D6316UBM-YI07 | K8D6316UBM-YI07 SAMSUNG TSSOP | K8D6316UBM-YI07.pdf | |
![]() | S80846KNY | S80846KNY SEIKO T0-92 | S80846KNY.pdf |