창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CZDM1003N TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CZDM1003N | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 975pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | CZDM1003N TR LEAD FREE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CZDM1003N TR | |
| 관련 링크 | CZDM100, CZDM1003N TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 | |
![]() | CRGH0603J2R7 | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/5W 0603 | CRGH0603J2R7.pdf | |
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![]() | RT1210BRB07200KL | RES SMD 200K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRB07200KL.pdf | |
![]() | WS5M1500J | RES 150 OHM 5W 5% AXIAL | WS5M1500J.pdf | |
![]() | SI-TTNL1.960G-T | SI-TTNL1.960G-T HITACHI SMD or Through Hole | SI-TTNL1.960G-T.pdf | |
![]() | IRF6628TR1PBF | IRF6628TR1PBF IR DirectFet | IRF6628TR1PBF.pdf | |
![]() | 823-M0094 | 823-M0094 ELEC&ELTEK SMD or Through Hole | 823-M0094.pdf | |
![]() | K4T560830F | K4T560830F ORIGINAL SMD or Through Hole | K4T560830F.pdf | |
![]() | PP1000-8-400 | PP1000-8-400 ORIGINAL SMD or Through Hole | PP1000-8-400.pdf | |
![]() | RN732BTTD6421C50 | RN732BTTD6421C50 KOA SMD or Through Hole | RN732BTTD6421C50.pdf | |
![]() | PST8312NR | PST8312NR MITSUMI SOT23-5 | PST8312NR.pdf | |
![]() | GARR | GARR TEXAS VSSOP-8 | GARR.pdf |