창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CXDM4060P TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CXDM4060P | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | CXDM4060P TR LEAD FREE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CXDM4060P TR | |
| 관련 링크 | CXDM406, CXDM4060P TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 | |
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![]() | SR591A472JARTR1 | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR591A472JARTR1.pdf | |
![]() | CK45-B3FD332KYNN | 3300pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.571" Dia(14.50mm) | CK45-B3FD332KYNN.pdf | |
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![]() | MB604528UPF-G-BND | MB604528UPF-G-BND FUJITSU QFP | MB604528UPF-G-BND.pdf | |
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![]() | LP3986TL-2525/NOPB | LP3986TL-2525/NOPB NSC TSSOP | LP3986TL-2525/NOPB.pdf | |
![]() | BX2361 | BX2361 PULSE SMD or Through Hole | BX2361.pdf | |
![]() | 7413080 | 7413080 ORIGINAL DIP-8 | 7413080.pdf |