창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-CTL0510-4N4-B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | CTL0510-4N4-B | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | CTL0510-4N4-B | |
관련 링크 | CTL0510, CTL0510-4N4-B 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
8Z-38.400MAAE-T | 38.4MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-38.400MAAE-T.pdf | ||
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PD73R-273K | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 980mA 170 mOhm Max Nonstandard | PD73R-273K.pdf | ||
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YG808C10 | YG808C10 SHINDENG SMD or Through Hole | YG808C10.pdf | ||
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DG4130DY | DG4130DY B SOP-16 | DG4130DY.pdf | ||
EPM7128AELC84-10/10N | EPM7128AELC84-10/10N ALTERA PLCC | EPM7128AELC84-10/10N.pdf | ||
M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM.pdf |