창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CTA2N1P-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CTA2N1P | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| 카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터 - 특수용 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN, P-Chan | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 전압 - 정격 | 40V NPN, 50V P-Chan | |
| 정격 전류 | 600mA NPN, 130mA P-Chan | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | CTA2N1P-FDITR CTA2N1P7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CTA2N1P-7-F | |
| 관련 링크 | CTA2N1, CTA2N1P-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | FVXO-LC73BR-155.52 | 155.52MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FVXO-LC73BR-155.52.pdf | |
![]() | IXFH94N30T | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | IXFH94N30T.pdf | |
![]() | IHSM4825PJ2R2L | 2.2µH Unshielded Inductor 5.7A 29 mOhm Max Nonstandard | IHSM4825PJ2R2L.pdf | |
![]() | ST2030 | ST2030 ST SMD or Through Hole | ST2030.pdf | |
![]() | ACT2235-60FN | ACT2235-60FN TEXAS PLCC28 | ACT2235-60FN.pdf | |
![]() | UC80873Q | UC80873Q UC PLCC28 | UC80873Q.pdf | |
![]() | AK4359AVFP-E2 | AK4359AVFP-E2 AKM SMD or Through Hole | AK4359AVFP-E2.pdf | |
![]() | H11AA43SD | H11AA43SD Fairchi SMD or Through Hole | H11AA43SD.pdf | |
![]() | sip21106dr-28-e | sip21106dr-28-e vishay SMD or Through Hole | sip21106dr-28-e.pdf | |
![]() | 216MTCGDFA22E | 216MTCGDFA22E ATI BGA | 216MTCGDFA22E.pdf | |
![]() | M323S6459CT2-C1LC1 | M323S6459CT2-C1LC1 Samsung Bag | M323S6459CT2-C1LC1.pdf | |
![]() | SBLB1640 | SBLB1640 GSI TO-263 | SBLB1640.pdf |