창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD87502Q2T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD87502Q2 Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD87502Q2T Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32.4m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 353pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-WSON(2x2) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-43692-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD87502Q2T | |
관련 링크 | CSD875, CSD87502Q2T 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | 80C88 | 80C88 HAR PLCC | 80C88.pdf | |
![]() | LM555S/M | LM555S/M ORIGINAL SMD | LM555S/M.pdf | |
![]() | 2008106-1 | 2008106-1 TEConnectivity NA | 2008106-1.pdf | |
![]() | GBP208G | GBP208G ORIGINAL DIP4 | GBP208G.pdf | |
![]() | MAX6220BASA50 | MAX6220BASA50 MAXIM SOP8 | MAX6220BASA50.pdf | |
![]() | EUP7201-1.8/2.8UR1 | EUP7201-1.8/2.8UR1 EUTECH SOT23-6 | EUP7201-1.8/2.8UR1.pdf | |
![]() | LM4308 | LM4308 NS SMD or Through Hole | LM4308.pdf | |
![]() | MAX414BCPD | MAX414BCPD MAXIM DIP | MAX414BCPD.pdf | |
![]() | RG82845GV SL6PR | RG82845GV SL6PR TNTEL BGA | RG82845GV SL6PR.pdf | |
![]() | 2085GVa4 | 2085GVa4 ORIGINAL QFN16 | 2085GVa4.pdf | |
![]() | 40486 | 40486 Delevan SMD or Through Hole | 40486.pdf | |
![]() | MVA63VC56MJ10E0 | MVA63VC56MJ10E0 nippon SMD or Through Hole | MVA63VC56MJ10E0.pdf |