창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD87502Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD87502Q2 Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD87502Q2 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32.4m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 353pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-WSON(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD87502Q2 | |
| 관련 링크 | CSD875, CSD87502Q2 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | EEU-FM1A681L | 680µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | EEU-FM1A681L.pdf | |
![]() | ATS042-INS | 4.096MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ATS042-INS.pdf | |
![]() | CAD11X5R104K06AT | CAD11X5R104K06AT KYCOERA SMD or Through Hole | CAD11X5R104K06AT.pdf | |
![]() | R1190H110D | R1190H110D RICOH SOT89-6 | R1190H110D.pdf | |
![]() | USB2244-AEZG-06 | USB2244-AEZG-06 SMSC QFN | USB2244-AEZG-06.pdf | |
![]() | TLP250 (DIP) | TLP250 (DIP) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP250 (DIP).pdf | |
![]() | IS61QDB42M36-300M3/M3L | IS61QDB42M36-300M3/M3L ISSI SMD or Through Hole | IS61QDB42M36-300M3/M3L.pdf | |
![]() | ECJ3YB0J475 | ECJ3YB0J475 panasonic SMD | ECJ3YB0J475.pdf | |
![]() | 78PR100K-421G | 78PR100K-421G BI SMD or Through Hole | 78PR100K-421G.pdf | |
![]() | D4516161G5-A10B-7JF | D4516161G5-A10B-7JF NEC TSOP | D4516161G5-A10B-7JF.pdf | |
![]() | 8T16N | 8T16N ORIGINAL DIP | 8T16N.pdf | |
![]() | FCR05FT-6802 | FCR05FT-6802 N/A SMD or Through Hole | FCR05FT-6802.pdf |