창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD87335Q3D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD87335Q3D Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD87335Q3D Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1050pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerLDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-LSON(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-43949-2 CSD87335Q3D-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD87335Q3D | |
관련 링크 | CSD873, CSD87335Q3D 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | 402F36012IDR | 36MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36012IDR.pdf | |
![]() | RG3216P-5102-B-T5 | RES SMD 51K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-5102-B-T5.pdf | |
![]() | PLTT0805Z4221QGT5 | RES SMD 4.22KOHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z4221QGT5.pdf | |
![]() | MSF4800-30-0280-X2 | TRANSMITTER SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800-30-0280-X2.pdf | |
![]() | ADP3178J | ADP3178J ADI SOP | ADP3178J.pdf | |
![]() | A1210LLHLT | A1210LLHLT ALLEGRO SMD or Through Hole | A1210LLHLT.pdf | |
![]() | 6020-470UH | 6020-470UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 6020-470UH.pdf | |
![]() | BCN164ABI103J7 | BCN164ABI103J7 ORIGINAL SMD or Through Hole | BCN164ABI103J7.pdf | |
![]() | DSPH56009FJ81 | DSPH56009FJ81 Freescal SMD or Through Hole | DSPH56009FJ81.pdf | |
![]() | PEB22554HTV4.3 | PEB22554HTV4.3 INFINEON SMD or Through Hole | PEB22554HTV4.3.pdf | |
![]() | LMC6035ITCX(80) | LMC6035ITCX(80) NEC NULL | LMC6035ITCX(80).pdf | |
![]() | 3362P-1-50K | 3362P-1-50K BOURNS/ SMD or Through Hole | 3362P-1-50K.pdf |