창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD87333Q3DT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD87333Q3D | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD87333Q3DT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.3m옴 @ 4A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 662pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | 125°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-37794-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD87333Q3DT | |
관련 링크 | CSD8733, CSD87333Q3DT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
ERJ-S03J203V | RES SMD 20K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J203V.pdf | ||
GRM31CB10J106KC01L 1206-106K | GRM31CB10J106KC01L 1206-106K MURATA SMD or Through Hole | GRM31CB10J106KC01L 1206-106K.pdf | ||
16411A1 | 16411A1 AGERE BGA | 16411A1.pdf | ||
C410C102K5G5CA | C410C102K5G5CA KEMET SMD | C410C102K5G5CA.pdf | ||
VM51316VSB1-R | VM51316VSB1-R VTC TSSOP | VM51316VSB1-R.pdf | ||
CR1618W22ROHM5% | CR1618W22ROHM5% EUROHM SMD or Through Hole | CR1618W22ROHM5%.pdf | ||
AD5215TD | AD5215TD AD DIP | AD5215TD.pdf | ||
JAN1N6610 | JAN1N6610 MII SMD or Through Hole | JAN1N6610.pdf | ||
M1315ZB5S | M1315ZB5S ORIGINAL SMD or Through Hole | M1315ZB5S.pdf | ||
RG1C687M10016 | RG1C687M10016 SAMWH DIP | RG1C687M10016.pdf | ||
SC11022CN/ABI | SC11022CN/ABI SC DIP | SC11022CN/ABI.pdf |