Texas Instruments CSD87333Q3DT
- 제조업체 부품 번호
- CSD87333Q3DT
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CSD87333Q3DT 가격 및 조달
가능 수량
9050 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 702.70480
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CSD87333Q3DT 재고가 있습니다. 우리는 Texas Instruments 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Texas Instruments 전자 부품 전문. CSD87333Q3DT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CSD87333Q3DT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CSD87333Q3DT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CSD87333Q3DT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD87333Q3DT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD87333Q3D | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD87333Q3DT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.3m옴 @ 4A, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 662pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 6W | |
| 작동 온도 | 125°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-37794-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD87333Q3DT | |
| 관련 링크 | CSD8733, CSD87333Q3DT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
CSD87333Q3DT 의 관련 제품
 | 06031C301KAT2A | 300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031C301KAT2A.pdf | |
 | B32522C684K | 0.68µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) | B32522C684K.pdf | |
 | 1N6290AHE3/73 | TVS DIODE 53VWM 85VC 1.5KE | 1N6290AHE3/73.pdf | |
 | ECS-135.6-12-33Q-JES-TR | 13.56MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-135.6-12-33Q-JES-TR.pdf | |
 | CMR3U-06M BK | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | CMR3U-06M BK.pdf | |
 | USF370-1.00M-0.1%-5PPM | RES 1M OHM 3/4W 0.1% RADIAL | USF370-1.00M-0.1%-5PPM.pdf | |
 | TAJR335M006R | TAJR335M006R AVX SMD or Through Hole | TAJR335M006R.pdf | |
| LD03-10B05C | LD03-10B05C MORNSUN SMD or Through Hole | LD03-10B05C.pdf | |
| ULM2004AFW | ULM2004AFW ORIGINAL SMD/DIP | ULM2004AFW.pdf | |
| ADS7822EB/2K5G4 | ADS7822EB/2K5G4 TI MSOP8 | ADS7822EB/2K5G4.pdf | |
| DE12-100-75R-1％-PN | DE12-100-75R-1％-PN DRA SMD or Through Hole | DE12-100-75R-1％-PN.pdf | |
| 0603CS-18NXGLC | 0603CS-18NXGLC COILCRAFT SMD | 0603CS-18NXGLC.pdf |