창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD87312Q3E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD87312Q3E | |
| PCN 설계/사양 | QFN 12mm Tape Width 18/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD87312Q3E Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2N 채널(이중) 공통 소스 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 7A , 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-35526-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD87312Q3E | |
| 관련 링크 | CSD873, CSD87312Q3E 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW20101M30JNTF | RES SMD 1.3M OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW20101M30JNTF.pdf | |
![]() | 77138-101 | 77138-101 FCI SMD or Through Hole | 77138-101.pdf | |
![]() | MAX211ECWE | MAX211ECWE Maxim WSOP28 | MAX211ECWE.pdf | |
![]() | 0402CS-8N2XKBW | 0402CS-8N2XKBW ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402CS-8N2XKBW.pdf | |
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![]() | CT-L21DT01-12-AC | CT-L21DT01-12-AC CENTIUIUM QFP | CT-L21DT01-12-AC.pdf | |
![]() | B32562-J6474-J | B32562-J6474-J EPCOS SMD or Through Hole | B32562-J6474-J.pdf | |
![]() | W24257S | W24257S WIBOAND SOP28 | W24257S.pdf | |
![]() | 652234 | 652234 ORIGINAL SMD or Through Hole | 652234.pdf | |
![]() | K6X1008C2D-DB70000 | K6X1008C2D-DB70000 SAMSUNG DIP | K6X1008C2D-DB70000.pdf |