Texas Instruments CSD85302L
- 제조업체 부품 번호
- CSD85302L
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 20V 5A
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CSD85302L 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 219.30467
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CSD85302L 재고가 있습니다. 우리는 Texas Instruments 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Texas Instruments 전자 부품 전문. CSD85302L 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CSD85302L가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CSD85302L 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CSD85302L 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD85302L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD85302L Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD85302L Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 공통 드레인 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFLGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Picostar(1.31x1.31) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD85302L | |
| 관련 링크 | CSD85, CSD85302L 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
CSD85302L 의 관련 제품
 | C0201C220M3GACTU | 22pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0201C220M3GACTU.pdf | |
 | TPSE227K010R0050 | 220µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 50 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSE227K010R0050.pdf | |
 | L0805C4R7MDWIT | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 360mA 500 mOhm 0805 (2012 Metric) | L0805C4R7MDWIT.pdf | |
 | MBKK2012T2R2M | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 850mA 290 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MBKK2012T2R2M.pdf | |
 | CLF12555T-6R8N | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 4.7A 19.5 mOhm Max Nonstandard | CLF12555T-6R8N.pdf | |
 | CRCW120633R2FKTB | RES SMD 33.2 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120633R2FKTB.pdf | |
 | YC324-FK-07392RL | RES ARRAY 4 RES 392 OHM 2012 | YC324-FK-07392RL.pdf | |
 | LK-1005-R27MTK | LK-1005-R27MTK KEMET SMD | LK-1005-R27MTK.pdf | |
| 384-A1 | 384-A1 GPBATTERIES SMD or Through Hole | 384-A1.pdf | |
| CC1808KKNPOEBN102 | CC1808KKNPOEBN102 ORIGINAL SMD or Through Hole | CC1808KKNPOEBN102.pdf | |
| RFM03178EB | RFM03178EB ORIGINAL QFN-30D | RFM03178EB.pdf | |
| L12URF9653S-50B-AM | L12URF9653S-50B-AM LIGITEK LED | L12URF9653S-50B-AM.pdf |