창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD23382F4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD23382F4 | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD23382F4 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | FemtoFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 76m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.35nC(6V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 235pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-PICOSTAR | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-40003-2 CSD23382F4-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD23382F4 | |
관련 링크 | CSD233, CSD23382F4 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
AST3TQ53-T-30.720MHZ-5-SW-T5 | 30.72MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-T-30.720MHZ-5-SW-T5.pdf | ||
MOC3023SM | Optoisolator Triac Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | MOC3023SM.pdf | ||
YC158TJR-0762KL | RES ARRAY 8 RES 62K OHM 1206 | YC158TJR-0762KL.pdf | ||
FAR-F6KA-1G7475-D4CY | FAR-F6KA-1G7475-D4CY FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F6KA-1G7475-D4CY.pdf | ||
ENI2240 | ENI2240 MOTOROLA RFTube | ENI2240.pdf | ||
R5534VE2FB | R5534VE2FB RICOH SMD or Through Hole | R5534VE2FB.pdf | ||
PCI30-221M-RC | PCI30-221M-RC ALLIED SMD | PCI30-221M-RC.pdf | ||
IML8811 | IML8811 IMLSEMI SO8 | IML8811.pdf | ||
16F874-I/P | 16F874-I/P MICROCHIP SMD or Through Hole | 16F874-I/P.pdf | ||
S823 | S823 NKKSwitches SMD or Through Hole | S823.pdf |