창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD23203W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD23203W | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD23203W Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19.4m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 914pF @ 4V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 6-DSBGA | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-40001-2 CSD23203W-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD23203W | |
관련 링크 | CSD23, CSD23203W 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
ICL7555 | ICL7555 HAR DIP8 | ICL7555.pdf | ||
LM747H/883QS | LM747H/883QS ORIGINAL SMD or Through Hole | LM747H/883QS.pdf | ||
S5D2501F14-D | S5D2501F14-D SAMSUNG DIP | S5D2501F14-D.pdf | ||
BU72436KV-ZAE2 | BU72436KV-ZAE2 ROHM QFP64 | BU72436KV-ZAE2.pdf | ||
NJM4301 | NJM4301 JRC SOP7.2 | NJM4301.pdf | ||
FFA10U60DN | FFA10U60DN ORIGINAL TO-220F | FFA10U60DN.pdf | ||
GRM0332C1E4R3CD01D | GRM0332C1E4R3CD01D MURATA SMD | GRM0332C1E4R3CD01D.pdf | ||
LM22721 | LM22721 NS SOP | LM22721.pdf | ||
PCI1131PDY | PCI1131PDY TI TQFP208 | PCI1131PDY.pdf | ||
CGS74C2525N | CGS74C2525N NATSEMI SMD or Through Hole | CGS74C2525N.pdf | ||
TDA12021H | TDA12021H PHILIPS QFP | TDA12021H.pdf | ||
LT1509CSW#TRPBF | LT1509CSW#TRPBF LT SOP20 | LT1509CSW#TRPBF.pdf |