창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD22204W | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD22204W | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD22204W Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.9m옴 @ 2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1130pF @ 4V | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 9-UFBGA, DSBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 9-DSBGA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD22204W | |
| 관련 링크 | CSD22, CSD22204W 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | CBR02C399A8GAC | 3.9pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C399A8GAC.pdf | |
![]() | 2EX102K5 | 1000pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.400" L x 0.276" W(10.20mm x 7.00mm) | 2EX102K5.pdf | |
![]() | TA6289 | TA6289 TOSHIBA DIP | TA6289.pdf | |
![]() | CMCC0805900NT | CMCC0805900NT VEN SMD or Through Hole | CMCC0805900NT.pdf | |
![]() | G5PA-1-8-5VDC | G5PA-1-8-5VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G5PA-1-8-5VDC.pdf | |
![]() | 2PC4617J | 2PC4617J PHILIPS SC-89 | 2PC4617J.pdf | |
![]() | VJ2225Y225KXAAT | VJ2225Y225KXAAT VIT SMD or Through Hole | VJ2225Y225KXAAT.pdf | |
![]() | FA431ZC | FA431ZC FirstSilicon SMD or Through Hole | FA431ZC.pdf | |
![]() | MC68714P | MC68714P MOT DIP24 | MC68714P.pdf | |
![]() | CL02C150JO2ANN | CL02C150JO2ANN SAMSUNG SMD | CL02C150JO2ANN.pdf | |
![]() | 5962-8759501LA | 5962-8759501LA TI CDIP24 | 5962-8759501LA.pdf | |
![]() | LXG16VN183M25X50T2 | LXG16VN183M25X50T2 NIPPON SMD or Through Hole | LXG16VN183M25X50T2.pdf |