창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19532Q5BT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19532Q5B Datasheet | |
애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19532Q5B Specifications CSD19532Q5BT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4810pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-44471-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19532Q5BT | |
관련 링크 | CSD1953, CSD19532Q5BT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
RT0603CRC0713R7L | RES SMD 13.7OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC0713R7L.pdf | ||
CRCW04028R25FKTD | RES SMD 8.25 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04028R25FKTD.pdf | ||
LDB15C151A0897F-003/TA15 | LDB15C151A0897F-003/TA15 MURATA SMD | LDB15C151A0897F-003/TA15.pdf | ||
PS2501L-1-E3(LE) | PS2501L-1-E3(LE) NEC SOP-4 | PS2501L-1-E3(LE).pdf | ||
3AG1-2002 | 3AG1-2002 NVIDA SMD or Through Hole | 3AG1-2002.pdf | ||
B3WR-1215D | B3WR-1215D CTC DIP12 | B3WR-1215D.pdf | ||
STGW50NB60H | STGW50NB60H ST TO-247 | STGW50NB60H.pdf | ||
IS62V6416LL-70TI | IS62V6416LL-70TI ISSI TQFP | IS62V6416LL-70TI.pdf | ||
EH17AU | EH17AU ON SOP-28L | EH17AU.pdf | ||
LE79R2410CJCDF | LE79R2410CJCDF LEGERITY QFN | LE79R2410CJCDF.pdf | ||
2N1130 | 2N1130 MOT CAN | 2N1130.pdf | ||
NL10276BC28-11 | NL10276BC28-11 NEC SMD or Through Hole | NL10276BC28-11.pdf |