창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19531KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19531KCS | |
| PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3870pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-37480-5 CSD19531KCS-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19531KCS | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19531KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 37005000410 | FUSE BOARD MNT 500MA 250VAC RAD | 37005000410.pdf | |
![]() | RP73D2A49K9BTDF | RES SMD 49.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A49K9BTDF.pdf | |
![]() | Y1746200R000A5R | RES SMD 200OHM 0.05% 0.6W J LEAD | Y1746200R000A5R.pdf | |
![]() | VI-PU11-EYW | VI-PU11-EYW VICOR SMD or Through Hole | VI-PU11-EYW.pdf | |
![]() | SEDS-9910 | SEDS-9910 AVAGO PIN6 | SEDS-9910.pdf | |
![]() | ABL-290-26.7400MHZ | ABL-290-26.7400MHZ abracon SMD or Through Hole | ABL-290-26.7400MHZ.pdf | |
![]() | HLMP-ED80-PS000 | HLMP-ED80-PS000 AVAGO SMD or Through Hole | HLMP-ED80-PS000.pdf | |
![]() | MAX691CWE | MAX691CWE MM SMD or Through Hole | MAX691CWE.pdf | |
![]() | MSP-FET430U40A | MSP-FET430U40A TI SMD or Through Hole | MSP-FET430U40A.pdf | |
![]() | DCD24D3.3-2W | DCD24D3.3-2W BBT DIP14 | DCD24D3.3-2W.pdf | |
![]() | IRFBA22N50 | IRFBA22N50 IR TO-273 | IRFBA22N50.pdf | |
![]() | CEXJMK107BJ475MA-T | CEXJMK107BJ475MA-T ORIGINAL SMD or Through Hole | CEXJMK107BJ475MA-T.pdf |