창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19505KTTT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19505KTT Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19505KTTT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7920pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19505KTTT | |
관련 링크 | CSD1950, CSD19505KTTT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | UVR1H682MRA | 6800µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR1H682MRA.pdf | |
![]() | AT0805DRD0711K5L | RES SMD 11.5K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD0711K5L.pdf | |
![]() | RT1206BRC07768KL | RES SMD 768K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC07768KL.pdf | |
![]() | HRG3216P-1580-D-T1 | RES SMD 158 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1580-D-T1.pdf | |
![]() | 03ER33 | 03ER33 Curtis SMD or Through Hole | 03ER33.pdf | |
![]() | LP62S16256EU-70LLT/QAQ | LP62S16256EU-70LLT/QAQ AMIC BGA48 | LP62S16256EU-70LLT/QAQ.pdf | |
![]() | MSLU101 | MSLU101 Minmax SMD or Through Hole | MSLU101.pdf | |
![]() | DS3200L+ | DS3200L+ DALLAS SMD or Through Hole | DS3200L+.pdf | |
![]() | H27U1G8F2BTR-BC-HYNIX | H27U1G8F2BTR-BC-HYNIX HYNIX TSOP | H27U1G8F2BTR-BC-HYNIX.pdf | |
![]() | EP2-3G1T | EP2-3G1T NEC SMD or Through Hole | EP2-3G1T.pdf | |
![]() | DM54367W/883 | DM54367W/883 NS CSOP | DM54367W/883.pdf | |
![]() | LCN1008T-15NJ-N | LCN1008T-15NJ-N YAGEO SMD | LCN1008T-15NJ-N.pdf |