창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19502Q5BT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19502Q5B Wide Vin DC/DC Power Solutions | |
| 애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 19A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4870pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-44043-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19502Q5BT | |
| 관련 링크 | CSD1950, CSD19502Q5BT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | AU2A686M12025 | AU2A686M12025 samwha DIP-2 | AU2A686M12025.pdf | |
![]() | B-15UF/6.3V | B-15UF/6.3V NICHICON B-15UF6.3V | B-15UF/6.3V.pdf | |
![]() | GS7566-812-002 | GS7566-812-002 ORIGINAL BGA | GS7566-812-002.pdf | |
![]() | J3-H | J3-H T DIP4 | J3-H.pdf | |
![]() | VH7AB LMV 35B | VH7AB LMV 35B ORIGINAL SMD or Through Hole | VH7AB LMV 35B.pdf | |
![]() | JM20329-LGCA4-C | JM20329-LGCA4-C JMICRON SMD or Through Hole | JM20329-LGCA4-C.pdf | |
![]() | SG-264A | SG-264A SONY TO-66 | SG-264A.pdf | |
![]() | CN2B4TEJ121 | CN2B4TEJ121 KOA SMD | CN2B4TEJ121.pdf | |
![]() | MAX859CUA-T | MAX859CUA-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX859CUA-T.pdf | |
![]() | CIF03005-0M | CIF03005-0M SAURO SMD or Through Hole | CIF03005-0M.pdf | |
![]() | TC7SZ32AFE TEL:82766440 | TC7SZ32AFE TEL:82766440 ORIGINAL ESV | TC7SZ32AFE TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1N5230B_T26A | 1N5230B_T26A Fairchild DO-35 | 1N5230B_T26A.pdf |