Texas Instruments CSD19501KCS
- 제조업체 부품 번호
- CSD19501KCS
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 100A TO220
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CSD19501KCS 가격 및 조달
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8911 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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CSD19501KCS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19501KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19501KCS | |
| PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19501KCS Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 217W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-37286-5 CSD19501KCS-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19501KCS | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19501KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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