창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD18536KTT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD18536KTT Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD18536KTT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11430pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD18536KTT | |
관련 링크 | CSD185, CSD18536KTT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
DSEI30-06A | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD | DSEI30-06A.pdf | ||
ERA-3ARB4871V | RES SMD 4.87KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3ARB4871V.pdf | ||
HMC175MS8ETR | RF Mixer IC General Purpose Up/Down Converter 1.7GHz ~ 4.5GHz 8-MSOP | HMC175MS8ETR.pdf | ||
M37516 | M37516 MTI SMD or Through Hole | M37516.pdf | ||
3515AL DIP-14 | 3515AL DIP-14 UTC DIP14 | 3515AL DIP-14.pdf | ||
TACR475M020 | TACR475M020 AVX SMD or Through Hole | TACR475M020.pdf | ||
KSD73 | KSD73 FAIRCHILD TO-220 | KSD73.pdf | ||
140R | 140R ORIGINAL 1206 | 140R.pdf | ||
A08804 | A08804 ORIGINAL TSSOP-8 | A08804.pdf | ||
MAX4553EPE | MAX4553EPE MAX SMD or Through Hole | MAX4553EPE.pdf | ||
LT6E23-A | LT6E23-A ORIGINAL SMD or Through Hole | LT6E23-A.pdf | ||
5V9910ZQ | 5V9910ZQ IDT Call | 5V9910ZQ.pdf |