창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18532NQ5B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18532NQ5B | |
| 애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
| PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | VSON Additional Assembly Site 28/Oct/2013 Qualification Wire Bond 27/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5340pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-36445-2 CSD18532NQ5B-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18532NQ5B | |
| 관련 링크 | CSD1853, CSD18532NQ5B 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | SFH 4556 | Infrared (IR) Emitter 860nm 1.5V 100mA 140mW/sr @ 100mA 40° Radial | SFH 4556.pdf | |
![]() | 881623-1 | 881623-1 AMP SMD or Through Hole | 881623-1.pdf | |
![]() | MM74HCT573AN | MM74HCT573AN FSC SOPDIP | MM74HCT573AN.pdf | |
![]() | T491A476M016AS | T491A476M016AS KEMET SMD or Through Hole | T491A476M016AS.pdf | |
![]() | STA314L2 | STA314L2 ST SSOP36 | STA314L2.pdf | |
![]() | BSX46/10 | BSX46/10 PHILIPS CAN | BSX46/10.pdf | |
![]() | MX29LV008BBTC-55G | MX29LV008BBTC-55G MXIC TSOP40 | MX29LV008BBTC-55G.pdf | |
![]() | MX4332ESA | MX4332ESA MAXIM SOP | MX4332ESA.pdf | |
![]() | LM1084ISX-3.3/NOPB | LM1084ISX-3.3/NOPB NationalSemiconductor SMD or Through Hole | LM1084ISX-3.3/NOPB.pdf | |
![]() | MC3361CP/BP | MC3361CP/BP MOT DIP | MC3361CP/BP.pdf |