창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18531Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18531Q5A | |
| 주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18531Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3840pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-30573-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18531Q5A | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18531Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | GR321BD72E223KW03L | 0.022µF 250V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GR321BD72E223KW03L.pdf | |
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![]() | 160R-102JS | 1µH Unshielded Inductor 610mA 340 mOhm Max 2-SMD | 160R-102JS.pdf | |
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![]() | TC1015-36VCT713 | TC1015-36VCT713 MICROCHIP SOT-153 | TC1015-36VCT713.pdf | |
![]() | GO1535-CTX | GO1535-CTX GNM Call | GO1535-CTX.pdf | |
![]() | B1935 | B1935 ORIGINAL QFN | B1935.pdf | |
![]() | FH21-30S-1DSA | FH21-30S-1DSA HRS SMD or Through Hole | FH21-30S-1DSA.pdf | |
![]() | M83421/01-1160R | M83421/01-1160R KEMET SMD or Through Hole | M83421/01-1160R.pdf | |
![]() | WL1C336M05011 | WL1C336M05011 SAMWH DIP | WL1C336M05011.pdf |