창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17579Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17579Q5A | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17579Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.7m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1030pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17579Q5A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17579Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 0469001.WR | FUSE 63V SMD 1206 SLOW BLOW 1A | 0469001.WR.pdf | |
![]() | IHSM7832ER5R6L | 5.6µH Unshielded Inductor 6A 25 mOhm Max Nonstandard | IHSM7832ER5R6L.pdf | |
![]() | MB8289-35P-CK | MB8289-35P-CK FUJ DIP32 | MB8289-35P-CK.pdf | |
![]() | SMTC-16326T | SMTC-16326T SM SMD or Through Hole | SMTC-16326T.pdf | |
![]() | 55061 | 55061 MURR null | 55061.pdf | |
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![]() | JM38510/00903BCA | JM38510/00903BCA TI CDIP | JM38510/00903BCA.pdf | |
![]() | 29F00TQC-12 | 29F00TQC-12 MX PLCC | 29F00TQC-12.pdf | |
![]() | PSOT12CLF-T7(LEADFREE) | PSOT12CLF-T7(LEADFREE) PROTEK SMD or Through Hole | PSOT12CLF-T7(LEADFREE).pdf | |
![]() | HPA00226DBVRG4 | HPA00226DBVRG4 TI SMD or Through Hole | HPA00226DBVRG4.pdf | |
![]() | BA6291FV | BA6291FV ROHM SMD or Through Hole | BA6291FV.pdf |