창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17577Q5AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17577Q5A | |
| 주요제품 | CSD1757xx Family MOSFETs | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17577Q5AT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2310pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-38337-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17577Q5AT | |
| 관련 링크 | CSD1757, CSD17577Q5AT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | CMR08F303GPDM | CMR MICA | CMR08F303GPDM.pdf | |
![]() | SIT8918BA-22-33E-16.000000E | OSC XO 3.3V 16MHZ OE | SIT8918BA-22-33E-16.000000E.pdf | |
![]() | BUF405AF | BUF405AF PHI TO-220F | BUF405AF.pdf | |
![]() | BZW30-105 | BZW30-105 ST DO-27A | BZW30-105.pdf | |
![]() | M95160-MN3T/W | M95160-MN3T/W ST SMD or Through Hole | M95160-MN3T/W.pdf | |
![]() | STGE50NB60HD | STGE50NB60HD ST PB | STGE50NB60HD.pdf | |
![]() | TLY260 | TLY260 TOSHIBA SMD or Through Hole | TLY260.pdf | |
![]() | 838AN-1487=P3 | 838AN-1487=P3 TOKO SOT | 838AN-1487=P3.pdf | |
![]() | C0603Y5V104M500NT | C0603Y5V104M500NT ORIGINAL SMD | C0603Y5V104M500NT.pdf | |
![]() | 3787-C-48 | 3787-C-48 ORIGINAL NEW | 3787-C-48.pdf | |
![]() | MAX383BCSE | MAX383BCSE MAXIM SOIC | MAX383BCSE.pdf | |
![]() | 0520892219+ | 0520892219+ MOLEX SMD or Through Hole | 0520892219+.pdf |