창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17575Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17575Q3 | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17575Q3 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4420pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-39994-2 CSD17575Q3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17575Q3 | |
관련 링크 | CSD175, CSD17575Q3 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | RCER71H102K0K1H03B | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCER71H102K0K1H03B.pdf | |
![]() | T95S475K6R3CZAL | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 1507 (3718 Metric) 2 Ohm 0.143" L x 0.072" W (3.63mm x 1.83mm) | T95S475K6R3CZAL.pdf | |
![]() | SIT9002AC-28N25EG | 1MHz ~ 220MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 77mA Enable/Disable | SIT9002AC-28N25EG.pdf | |
![]() | FXA2G103Y | FXA2G103Y HITACHI SMD or Through Hole | FXA2G103Y.pdf | |
![]() | CS5526-AP | CS5526-AP CIRRUS DIP20 | CS5526-AP.pdf | |
![]() | DS14C239TWM | DS14C239TWM NSC SOP24 | DS14C239TWM.pdf | |
![]() | 74HC165DWR | 74HC165DWR NEC SMD or Through Hole | 74HC165DWR.pdf | |
![]() | TLP181F.T | TLP181F.T Toshiba SMD or Through Hole | TLP181F.T.pdf | |
![]() | GD214661902 | GD214661902 ORIGINAL PLCC | GD214661902.pdf | |
![]() | DM74CS245WM | DM74CS245WM ORIGINAL SOP | DM74CS245WM.pdf | |
![]() | MA80270-L | MA80270-L PANASONIC SOD-323 | MA80270-L.pdf |