창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17573Q5B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17573Q5B | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17573Q5B Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-39836-2 CSD17573Q5B-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17573Q5B | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17573Q5B 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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![]() | NLV32T-100J-PFD | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 2.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-100J-PFD.pdf | |
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![]() | 020Y | 020Y N/A SOT23-6 | 020Y.pdf | |
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![]() | B141NF55-1 | B141NF55-1 ST TO262 | B141NF55-1.pdf | |
![]() | 232215621003 | 232215621003 BCCOMPONENTS SMD or Through Hole | 232215621003.pdf | |
![]() | CY7C9335A-270AXCT | CY7C9335A-270AXCT CYPRESS N A | CY7C9335A-270AXCT.pdf | |
![]() | 44.62 12VDC | 44.62 12VDC FINDER SMD or Through Hole | 44.62 12VDC.pdf | |
![]() | 585R222H01-97942 | 585R222H01-97942 ORIGINAL SOP | 585R222H01-97942.pdf |