창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17507Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17507Q5A | |
| 제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
| 비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
| 주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17507Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 65A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.8m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-27791-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17507Q5A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17507Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | APSC2R5ELL821MH08S | 820µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 7 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | APSC2R5ELL821MH08S.pdf | |
![]() | P6KE100A-E3/73 | TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO204AC | P6KE100A-E3/73.pdf | |
![]() | ERJ-1GEF4121C | RES SMD 4.12K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF4121C.pdf | |
![]() | RMCF0402FT3M24 | RES SMD 3.24M OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT3M24.pdf | |
![]() | PMC107-R25M-HF | PMC107-R25M-HF YAGEO SMD or Through Hole | PMC107-R25M-HF.pdf | |
![]() | VM64ES | VM64ES NSC BGA | VM64ES.pdf | |
![]() | 021N04N | 021N04N INF D2PAK-6 | 021N04N.pdf | |
![]() | 100322DC | 100322DC PHI DIP | 100322DC.pdf | |
![]() | REG71055 | REG71055 BB/TI/AD SOT23-6 | REG71055.pdf | |
![]() | STD302S | STD302S STM SOT-252 | STD302S.pdf | |
![]() | PI066611G | PI066611G YCL SMD or Through Hole | PI066611G.pdf |