창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17506Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17506Q5A | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17506Q5A Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1650pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-28408-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17506Q5A | |
관련 링크 | CSD175, CSD17506Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | F1100AA20 | FILTER GEN PURPOSE/SGL PHASE 20A | F1100AA20.pdf | |
![]() | WHB75RFET | RES 75 OHM 1W 1% AXIAL | WHB75RFET.pdf | |
![]() | 1210 475M 25V | 1210 475M 25V FH SMD or Through Hole | 1210 475M 25V.pdf | |
![]() | GMS90C52-G245 | GMS90C52-G245 LG DIP | GMS90C52-G245.pdf | |
![]() | LQP10A1N5B02T1M00-01/T265 | LQP10A1N5B02T1M00-01/T265 muRata SMD or Through Hole | LQP10A1N5B02T1M00-01/T265.pdf | |
![]() | 800-00029 | 800-00029 ORIGINAL SMD or Through Hole | 800-00029.pdf | |
![]() | RC5025J3R3CS | RC5025J3R3CS Samsung ChipResistor | RC5025J3R3CS.pdf | |
![]() | TIM-LC | TIM-LC U-BLOX SMD or Through Hole | TIM-LC.pdf | |
![]() | B65555A1-ES1 | B65555A1-ES1 CHIPS BGA | B65555A1-ES1.pdf | |
![]() | LTC2913CMS-2 | LTC2913CMS-2 LT MSOP-10 | LTC2913CMS-2.pdf | |
![]() | TC7SH08FU H2 | TC7SH08FU H2 TOS SOT-163 | TC7SH08FU H2.pdf | |
![]() | MAX186CCWP+T | MAX186CCWP+T MAXIM WSO-20 | MAX186CCWP+T.pdf |