창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17302Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17302Q5A | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17302Q5A Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1618 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 87A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.9m옴 @ 14A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-25854-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17302Q5A | |
관련 링크 | CSD173, CSD17302Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
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![]() | VJ1808A150KBLAT4X | 15pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A150KBLAT4X.pdf | |
![]() | SMBG54CA-E3/52 | TVS DIODE 54VWM 87.1VC SMB | SMBG54CA-E3/52.pdf | |
![]() | CPCP101R250FB32 | RES 1.25 OHM 10W 1% RADIAL | CPCP101R250FB32.pdf | |
![]() | HV2701G1 | HV2701G1 SUPERTEX QFN | HV2701G1.pdf | |
![]() | P2010AS008C | P2010AS008C TS SMD | P2010AS008C.pdf | |
![]() | AD746SQ/883 | AD746SQ/883 ADI CDIP8 | AD746SQ/883.pdf | |
![]() | MT18JSF51272PDZ-1G4D1 | MT18JSF51272PDZ-1G4D1 MICRON SMD or Through Hole | MT18JSF51272PDZ-1G4D1.pdf | |
![]() | PM155SAJ5 | PM155SAJ5 PMI DIP | PM155SAJ5.pdf | |
![]() | ACMG4015-04L50-423-T83 | ACMG4015-04L50-423-T83 ORIGINAL SMD or Through Hole | ACMG4015-04L50-423-T83.pdf | |
![]() | DS1112SG57 | DS1112SG57 DYNEX Module | DS1112SG57.pdf |