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Texas Instruments CSD16570Q5BT

CSD16570Q5BT
제조업체 부품 번호
CSD16570Q5BT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
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내부 부품 번호EIS-CSD16570Q5BT
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 준수 면제
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD16570Q5B
PCN 조립/원산지Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014
제조업체 제품 페이지CSD16570Q5BT Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs0.59m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.9V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs250nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds14000pF @ 12V
전력 - 최대3.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-VSON(5x6)
표준 포장 250
다른 이름296-38335-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD16570Q5BT
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