Texas Instruments CSD16327Q3
- 제조업체 부품 번호
- CSD16327Q3
- 제조업 자
- Texas Instruments
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CSD16327Q3 가격 및 조달
가능 수량
16050 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 503.47440
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CSD16327Q3 재고가 있습니다. 우리는 Texas Instruments 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Texas Instruments 전자 부품 전문. CSD16327Q3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CSD16327Q3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CSD16327Q3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CSD16327Q3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD16327Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD16327Q3 | |
| PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD16327Q3 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 24A, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 12.5V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | CSD16327Q3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD16327Q3 | |
| 관련 링크 | CSD163, CSD16327Q3 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
CSD16327Q3 의 관련 제품
 | C1005JB1H473M050BB | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1H473M050BB.pdf | |
 | GRM0335C1E270FA01D | 27pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E270FA01D.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2166T1H6R0DD01D | 6pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166T1H6R0DD01D.pdf | |
 | NOSC227M001R0150 | 220µF Niobium Oxide Capacitor 1.8V 2312 (6032 Metric) 150 mOhm ESR | NOSC227M001R0150.pdf | |
.jpg) | 2410SFV8.00FM/125-2 | FUSE BRD MNT 8A 125VAC/VDC 2410 | 2410SFV8.00FM/125-2.pdf | |
 | 1MBH25D-12 | 1MBH25D-12 FUJITSU TO-3P | 1MBH25D-12.pdf | |
| SP7686EB | SP7686EB Exar SMD or Through Hole | SP7686EB.pdf | |
| DM210AA | DM210AA HITACHI BGA | DM210AA.pdf | |
| CYV15G0204RB-BGXC | CYV15G0204RB-BGXC CY BGA | CYV15G0204RB-BGXC.pdf | |
| FV8050366233 | FV8050366233 INT SMD or Through Hole | FV8050366233.pdf | |
| CX24943-16P | CX24943-16P CONEXANT BGA | CX24943-16P.pdf | |
| DPX2MEA32W4S57S33B02 | DPX2MEA32W4S57S33B02 N/A SMD or Through Hole | DPX2MEA32W4S57S33B02.pdf |