Texas Instruments CSD16323Q3C

CSD16323Q3C
제조업체 부품 번호
CSD16323Q3C
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
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내부 부품 번호EIS-CSD16323Q3C
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD16323Q3C
제품 교육 모듈NexFET MOSFET Technology
비디오 파일PowerStack™ Packaging Technology Overview
주요제품Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
PCN 설계/사양Qualification Revision A 01/Jul/2014
제조업체 제품 페이지CSD16323Q3C Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C21A(Ta), 60A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.5m옴 @ 24A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.4nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1300pF @ 12.5V
전력 - 최대3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-SON 노출형 패드(3x3)
표준 포장 2,500
다른 이름296-28096-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD16323Q3C
관련 링크CSD163, CSD16323Q3C 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통
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