홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » CSD13383F4T

Texas Instruments CSD13383F4T

CSD13383F4T
제조업체 부품 번호
CSD13383F4T
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
데이터 시트 다운로드
다운로드
CSD13383F4T 가격 및 조달

가능 수량

9800 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 106.56080
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 CSD13383F4T 재고가 있습니다. 우리는 Texas Instruments 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Texas Instruments 전자 부품 전문. CSD13383F4T 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CSD13383F4T가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
CSD13383F4T 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
CSD13383F4T 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CSD13383F4T
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD13383F4
PCN 설계/사양DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
제조업체 제품 페이지CSD13383F4T Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열FemtoFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.9A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs44m옴 @ 500mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.25V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.6nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds291pF @ 6V
전력 - 최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-PICOSTAR
표준 포장 250
다른 이름296-38621-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD13383F4T
관련 링크CSD133, CSD13383F4T 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통
CSD13383F4T 의 관련 제품
2.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) 251R14S2R4CV4T.pdf
PTC RESETTABLE RADIAL 30V 8A PTR030V0800-BK1.pdf
DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59 1SS394TE85LF.pdf
22µH Shielded Inductor 2.7A 42 mOhm Max 4-SMD CDRH12D58/ANP-220MC.pdf
RES SMD 1.96K OHM 1% 1/10W 0603 CRCW06031K96FKTA.pdf
SC79870(23D38) MOTOROLA TQFP SC79870(23D38).pdf
316135-5 TYCO SMD or Through Hole 316135-5.pdf
501594-1011 molex SMD or Through Hole 501594-1011.pdf
100159-1 TYCO SMD or Through Hole 100159-1.pdf
MTS277 ALLEGRO TO-92-4 MTS277.pdf
MT48H8M32LFB5-8:G MICRON FBGA MT48H8M32LFB5-8:G.pdf