창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD13306W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD13306W | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD13306W Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.2m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 6-DSBGA(1x1.5) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD13306W | |
관련 링크 | CSD13, CSD13306W 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | DMG302PU-7 | MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 | DMG302PU-7.pdf | |
![]() | SIHF8N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK | SIHF8N50D-E3.pdf | |
![]() | RC0402DR-07887RL | RES SMD 887 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-07887RL.pdf | |
![]() | TNPW060368K1BETA | RES SMD 68.1KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060368K1BETA.pdf | |
![]() | NPC-1210-005D-3S | NPC-1210-005D-3S NOVE SMD or Through Hole | NPC-1210-005D-3S.pdf | |
![]() | TSR6GTJ-562V | TSR6GTJ-562V ORIGINAL SMD or Through Hole | TSR6GTJ-562V.pdf | |
![]() | ACM45321023PT001 | ACM45321023PT001 TDK SMD or Through Hole | ACM45321023PT001.pdf | |
![]() | AP1624WA/ADJ | AP1624WA/ADJ ANACHIP SOT23-5L | AP1624WA/ADJ.pdf | |
![]() | IDT74ALVCH16500PA | IDT74ALVCH16500PA IDT SMD or Through Hole | IDT74ALVCH16500PA.pdf | |
![]() | M3021 B2 | M3021 B2 INFINEON BGA171 | M3021 B2.pdf |