창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CRY82(TE85L,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CRY62 To CRZ39 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 4.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | S-FLAT(1.6x3.5) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | CRY82(TE85LQM)TR CRY82TE85LQM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CRY82(TE85L,Q,M) | |
| 관련 링크 | CRY82(TE8, CRY82(TE85L,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | USA0J221MDD | 220µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | USA0J221MDD.pdf | |
![]() | BAS20,235 | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | BAS20,235.pdf | |
![]() | VS-T85HF40 | DIODE MODULE 400V 85A D-55 | VS-T85HF40.pdf | |
![]() | CRCW12109R10FKEA | RES SMD 9.1 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12109R10FKEA.pdf | |
![]() | RG3216P-2670-B-T1 | RES SMD 267 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2670-B-T1.pdf | |
![]() | 0201-5.1P | 0201-5.1P TDK SMD or Through Hole | 0201-5.1P.pdf | |
![]() | S-8051ANR-NB-3E-T1 | S-8051ANR-NB-3E-T1 ORIGINAL SOT-89 | S-8051ANR-NB-3E-T1.pdf | |
![]() | SD1482 | SD1482 HG SMD or Through Hole | SD1482.pdf | |
![]() | MG50H2DM1 | MG50H2DM1 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG50H2DM1.pdf | |
![]() | 215R8GAKA13F (R300) | 215R8GAKA13F (R300) ATi BGA | 215R8GAKA13F (R300).pdf | |
![]() | MC68HLC908QT4CDW | MC68HLC908QT4CDW FREESCALESEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | MC68HLC908QT4CDW.pdf | |
![]() | LYA67K | LYA67K OSRAM ROHS | LYA67K.pdf |