창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CRHV1206AF15M0JKE5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CRHV | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | CRHV | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 15M | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 0.3W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 고전압 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.125" L x 0.063" W(3.18mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.027"(0.69mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | CRHV1206AF15M0JKET CRHV15MBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CRHV1206AF15M0JKE5 | |
관련 링크 | CRHV1206AF, CRHV1206AF15M0JKE5 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RQ3E100GNTB | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT | RQ3E100GNTB.pdf | ||
IMC1812RVR56J | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 285mA 1.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RVR56J.pdf | ||
KTR10EZPJ511 | RES SMD 510 OHM 5% 1/8W 0805 | KTR10EZPJ511.pdf | ||
RT0805BRD07143RL | RES SMD 143 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07143RL.pdf | ||
X0470GE | X0470GE Sharp DIP-64 | X0470GE.pdf | ||
BD44454G | BD44454G MX SOP | BD44454G.pdf | ||
DTSM32N | DTSM32N DIPTRONICS SMD or Through Hole | DTSM32N.pdf | ||
M9812AF | M9812AF NS DIP14 | M9812AF.pdf | ||
1N6031 | 1N6031 ON/ST/VISHAY SMD DIP | 1N6031.pdf | ||
MDF18N50TH | MDF18N50TH ORIGINAL SMD or Through Hole | MDF18N50TH.pdf | ||
XCV200E-6FG256AGT | XCV200E-6FG256AGT Xilinx BGA1717 | XCV200E-6FG256AGT.pdf | ||
l17d4k63010 | l17d4k63010 amphenol SMD or Through Hole | l17d4k63010.pdf |