창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CRCW25125R49FNEG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | D/CRCW e3 Series Datasheet | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | CRCW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 5.49 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 1W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 2512(6432 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2512 | |
| 크기/치수 | 0.248" L x 0.124" W(6.30mm x 3.15mm) | |
| 높이 | 0.028"(0.70mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | CRCW2512 200 5R49 1% E67 E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CRCW25125R49FNEG | |
| 관련 링크 | CRCW25125, CRCW25125R49FNEG 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | VJ2225A392KBLAT4X | 3900pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A392KBLAT4X.pdf | |
|  | SMBJ5339B-TP | DIODE ZENER 5.6V 5W DO214AA | SMBJ5339B-TP.pdf | |
|  | SSCMRRN001PDAA3 | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.33 V ~ 2.97 V 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Same Side | SSCMRRN001PDAA3.pdf | |
|  | NLNSE5512DSH-160 | NLNSE5512DSH-160 CYPRESS BGA | NLNSE5512DSH-160.pdf | |
|  | MFR5 222K40 | MFR5 222K40 EVOX RIFA SMD or Through Hole | MFR5 222K40.pdf | |
|  | LE82G31 SLASJ | LE82G31 SLASJ INTEL BGA | LE82G31 SLASJ.pdf | |
|  | PA3541E1PRP | PA3541E1PRP TOSHIBA SMD or Through Hole | PA3541E1PRP.pdf | |
|  | AT90S4414-4AI. | AT90S4414-4AI. ATMEL QFP44 | AT90S4414-4AI..pdf | |
|  | AL02BT2N2M | AL02BT2N2M VIKINGTECH SMD or Through Hole | AL02BT2N2M.pdf | |
|  | IS42S16100-10T SDRAM,16M | IS42S16100-10T SDRAM,16M ISSI TSOP50 | IS42S16100-10T SDRAM,16M.pdf | |
|  | BA908CO | BA908CO ROHM TO220 | BA908CO.pdf |