창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CRCW040256R2FKED | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | D/CRCW e3 Series Datasheet | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2216 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | CRCW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 56.2 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0402 | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 | 0.016"(0.40mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 541-56.2LTR D10/CRCW0402 100 56R2 1% ET7 E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CRCW040256R2FKED | |
| 관련 링크 | CRCW04025, CRCW040256R2FKED 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F320X3AKT | 32MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X3AKT.pdf | |
![]() | 1812-562H | 5.6µH Unshielded Inductor 427mA 1.1 Ohm Max 2-SMD | 1812-562H.pdf | |
![]() | ERJ-S1DJ913U | RES SMD 91K OHM 5% 3/4W 2010 | ERJ-S1DJ913U.pdf | |
![]() | JRC4560DA | JRC4560DA ORIGINAL DIP | JRC4560DA.pdf | |
![]() | MB60251AUPF-G-BND | MB60251AUPF-G-BND ORIGINAL QFP | MB60251AUPF-G-BND.pdf | |
![]() | 39LF800A-55EKE | 39LF800A-55EKE ORIGINAL SMD or Through Hole | 39LF800A-55EKE.pdf | |
![]() | AD50131 | AD50131 AD SMD or Through Hole | AD50131.pdf | |
![]() | M5M54R16ATP-12/15 | M5M54R16ATP-12/15 MEMORY SMD | M5M54R16ATP-12/15.pdf | |
![]() | SM8100 | SM8100 toshiba SMD | SM8100.pdf | |
![]() | QG1360451Y-N01-7F-W | QG1360451Y-N01-7F-W FOXCONN SMD or Through Hole | QG1360451Y-N01-7F-W.pdf | |
![]() | CHAV0016j15300000400 | CHAV0016j15300000400 NISSEI PANA-ECHU1C153 | CHAV0016j15300000400.pdf | |
![]() | CK45-F1H104ZYR | CK45-F1H104ZYR TDK SMD or Through Hole | CK45-F1H104ZYR.pdf |