창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CQ0603JRNPO9BN360 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Hi Q Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | CQ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 36pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CQ0603JRNPO9BN360 | |
관련 링크 | CQ0603JRNP, CQ0603JRNPO9BN360 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
![]() | DMC2041UFDB-13 | MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN | DMC2041UFDB-13.pdf | |
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![]() | WLAR005FET | RES 0.005 OHM 1/2W 1% AXIAL | WLAR005FET.pdf | |
![]() | H834KBYA | RES 34.0K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H834KBYA.pdf | |
![]() | HA00-05458LFTR | HA00-05458LFTR BI SMD or Through Hole | HA00-05458LFTR.pdf | |
![]() | PVO-16V151MH80-R | PVO-16V151MH80-R ELNA SMD | PVO-16V151MH80-R.pdf | |
![]() | CR-25 1/4W 5% | CR-25 1/4W 5% YAGEO SMD or Through Hole | CR-25 1/4W 5%.pdf | |
![]() | UFC110BG | UFC110BG BB DIP | UFC110BG.pdf | |
![]() | CS61304A-TL1 | CS61304A-TL1 CIRRUS SMD | CS61304A-TL1.pdf | |
![]() | MAX8670E | MAX8670E MAX QFN | MAX8670E.pdf | |
![]() | NCP5901BDR | NCP5901BDR ON SOP8 | NCP5901BDR.pdf | |
![]() | HD6432199R | HD6432199R ORIGINAL QFP | HD6432199R.pdf |