창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CPDVR083V3UA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CPDVR083V3UA | |
| 제품 교육 모듈 | Flat Chip Diodes ESD and ESD Suppressors | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 4 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 3.3V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | - | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 8V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 5A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 40W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 25pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-383F | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-383F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CPDVR083V3UA | |
| 관련 링크 | CPDVR08, CPDVR083V3UA 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | MCR03ERTF2203 | RES SMD 220K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF2203.pdf | |
![]() | Y16259K20000T9R | RES SMD 9.2K OHM 0.01% 0.3W 1206 | Y16259K20000T9R.pdf | |
![]() | AI24C02BN-SH-T | AI24C02BN-SH-T AI SOP | AI24C02BN-SH-T.pdf | |
![]() | TA23208PZP | TA23208PZP TI TQFP100 | TA23208PZP.pdf | |
![]() | ZDC834ATA | ZDC834ATA ZETEX SOT23 | ZDC834ATA.pdf | |
![]() | 1N5817-1N5818-1N5819 | 1N5817-1N5818-1N5819 HYG SMD or Through Hole | 1N5817-1N5818-1N5819.pdf | |
![]() | CL321611T5R6M | CL321611T5R6M SAMSUNG SMD | CL321611T5R6M.pdf | |
![]() | SY10EL16VFZC | SY10EL16VFZC SYNERGYSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | SY10EL16VFZC.pdf | |
![]() | K4S641632N-LI75T00 | K4S641632N-LI75T00 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S641632N-LI75T00.pdf | |
![]() | SPX1117M3-L-3-0 | SPX1117M3-L-3-0 EAXR SMD or Through Hole | SPX1117M3-L-3-0.pdf | |
![]() | MU9C4320L (TE597) | MU9C4320L (TE597) MUSIC QFP-100 | MU9C4320L (TE597).pdf | |
![]() | ECOS1VA123EB | ECOS1VA123EB PANASONIC DIP | ECOS1VA123EB.pdf |