창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CMS10(TE12L,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CMS10 | |
| 카탈로그 페이지 | 1650 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 550mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 40V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 50pF @ 10V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-128 | |
| 공급 장치 패키지 | M-FLAT(2.4x3.8) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | CMS10(TE12L,Q)-ND CMS10QMTR CMS10QTR CMS10QTR-ND CMS10TE12LQM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CMS10(TE12L,Q,M) | |
| 관련 링크 | CMS10(TE1, CMS10(TE12L,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | BSS84AKMB,315 | MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN | BSS84AKMB,315.pdf | |
![]() | Y000736K0000T0L | RES 36K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000736K0000T0L.pdf | |
![]() | 2518068007Y1 | 2518068007Y1 Fair-Rite SMD | 2518068007Y1.pdf | |
![]() | M80C186XL-12/B | M80C186XL-12/B INTEL PGA | M80C186XL-12/B.pdf | |
![]() | MAX2640EUT+T NOPB | MAX2640EUT+T NOPB MAXIM SOT163 | MAX2640EUT+T NOPB.pdf | |
![]() | JO1121A0034 | JO1121A0034 N/A SMD or Through Hole | JO1121A0034.pdf | |
![]() | DE2ID | DE2ID KIBGBRIGHT ROHS | DE2ID.pdf | |
![]() | M13S256328A-5B | M13S256328A-5B EMST BGA | M13S256328A-5B.pdf | |
![]() | IN4001-GDL | IN4001-GDL ORIGINAL SMD or Through Hole | IN4001-GDL.pdf | |
![]() | AD532KHZ | AD532KHZ AD SMD or Through Hole | AD532KHZ.pdf | |
![]() | B41896C5157M004 | B41896C5157M004 EPCOS DIP | B41896C5157M004.pdf | |
![]() | PEB2060N-V4.5 | PEB2060N-V4.5 SIEMENS PLCC | PEB2060N-V4.5.pdf |