창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CMS03(TE12L,Q,M) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CMS03 | |
카탈로그 페이지 | 1650 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 450mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-128 | |
공급 장치 패키지 | M-FLAT(2.4x3.8) | |
작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | CMS03 (TE12L,Q,M) CMS03(TE12L,Q) CMS03QTR CMS03TE12LQM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CMS03(TE12L,Q,M) | |
관련 링크 | CMS03(TE1, CMS03(TE12L,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
NR10050T4R9N | 4.9µH Shielded Wirewound Inductor 6A 19.5 mOhm Max Nonstandard | NR10050T4R9N.pdf | ||
HM50-332KLF | 3.3mH Unshielded Inductor 200mA 6.56 Ohm Max Axial | HM50-332KLF.pdf | ||
CPF0603F6R19C1 | RES SMD 6.19 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F6R19C1.pdf | ||
4610M-101-104LF | RES ARRAY 9 RES 100K OHM 10SIP | 4610M-101-104LF.pdf | ||
RK73B1ETTP682J(6.8K OHM) | RK73B1ETTP682J(6.8K OHM) KOA SMD or Through Hole | RK73B1ETTP682J(6.8K OHM).pdf | ||
MA8210TEG | MA8210TEG FREESCAL SOP16 | MA8210TEG.pdf | ||
XRA6797FP-TFB | XRA6797FP-TFB ROHM SMD | XRA6797FP-TFB.pdf | ||
B8M81-BB | B8M81-BB GENESIS QFP | B8M81-BB.pdf | ||
2SA721 | 2SA721 MAT TO-92 | 2SA721.pdf | ||
MBF21M2450H32-M8 | MBF21M2450H32-M8 ORIGINAL SMD or Through Hole | MBF21M2450H32-M8.pdf | ||
KA278RA05RTU PB | KA278RA05RTU PB FAIRCHILD TO-220F4 | KA278RA05RTU PB.pdf |