창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CMPDM303NH TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CMPDM303NH | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 1.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 590pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 350mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-3 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SOT-23F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | CMPDM303NH TR LEAD FREE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CMPDM303NH TR | |
관련 링크 | CMPDM30, CMPDM303NH TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 |
![]() | RT0402FRD076K19L | RES SMD 6.19K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD076K19L.pdf | |
![]() | TNPU1206137KBZEN00 | RES SMD 137K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU1206137KBZEN00.pdf | |
![]() | MBA02040C2371FCT00 | RES 2.37K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2371FCT00.pdf | |
![]() | NPI-19A-200GV | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 100 mV Cylinder | NPI-19A-200GV.pdf | |
![]() | CH7008A-CT | CH7008A-CT CHRONTEL QFP | CH7008A-CT.pdf | |
![]() | RD6.2P(6.2V) | RD6.2P(6.2V) NEC SMD or Through Hole | RD6.2P(6.2V).pdf | |
![]() | C4795 | C4795 ORIGINAL TO-3P | C4795.pdf | |
![]() | MMSZ5256BS M1 SOD-323 | MMSZ5256BS M1 SOD-323 ORIGINAL SMD or Through Hole | MMSZ5256BS M1 SOD-323.pdf | |
![]() | K4T1G084QF-HCF8 | K4T1G084QF-HCF8 SAMSUNG BGA | K4T1G084QF-HCF8.pdf | |
![]() | 2220VC80E2A155M-TS | 2220VC80E2A155M-TS ORIGINAL SMD | 2220VC80E2A155M-TS.pdf | |
![]() | TAJR684K016R | TAJR684K016R KYOCER SMD or Through Hole | TAJR684K016R.pdf | |
![]() | PM5001A-E1-A/J | PM5001A-E1-A/J NEC SSOP | PM5001A-E1-A/J.pdf |