창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CMLDM8120G TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CMLDM8120(G) | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 950mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.56nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CMLDM8120G TR | |
| 관련 링크 | CMLDM81, CMLDM8120G TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1886S1H6R4DZ01D | 6.4pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886S1H6R4DZ01D.pdf | |
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![]() | 1-1879065-9 | 15µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 350 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 1-1879065-9.pdf | |
![]() | ZABDC20-252H-S+ | ZABDC20-252H-S+ MINI SMD or Through Hole | ZABDC20-252H-S+.pdf | |
![]() | SN74ACS74ANSR | SN74ACS74ANSR TI SOP5.2m | SN74ACS74ANSR.pdf | |
![]() | MS-11-48 | MS-11-48 LAMBDA SMD or Through Hole | MS-11-48.pdf | |
![]() | A080SN01 V.5 | A080SN01 V.5 AU NA | A080SN01 V.5.pdf | |
![]() | 929852-01-25-10 | 929852-01-25-10 M/WSI SMD or Through Hole | 929852-01-25-10.pdf | |
![]() | MURF860T | MURF860T ON TO-220 | MURF860T.pdf | |
![]() | QD-NVS285 NPB | QD-NVS285 NPB NVIDIA BGA | QD-NVS285 NPB.pdf | |
![]() | Z53C8003ASG | Z53C8003ASG ZILOG LQFP | Z53C8003ASG.pdf | |
![]() | MC88915EI70.. | MC88915EI70.. FREESCAL PLCC | MC88915EI70...pdf |