창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CMF55210K00FKEA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CMF Series Datasheet, Industrial | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | CMF | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 210k | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
구성 | 메탈 필름 | |
특징 | 난연코팅, 내습성, 안전 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.090" Dia x 0.240" L(2.29mm x 6.10mm) | |
높이 | - | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CMF55210K00FKEA | |
관련 링크 | CMF55210K, CMF55210K00FKEA 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
600F2R0BT250XT | 2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 600F2R0BT250XT.pdf | ||
SQCB2M221GAJWE | 220pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB2M221GAJWE.pdf | ||
C921U151KYYDCAWL20 | 150pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U151KYYDCAWL20.pdf | ||
CTZ3S-20C-X1-PF | 4.5 ~ 20pF Trimmer Capacitor 25V Top Adjustment Surface Mount Rectangular - 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) | CTZ3S-20C-X1-PF.pdf | ||
FQ12PN60 | FQ12PN60 FAIRCHILD TO-220 | FQ12PN60.pdf | ||
H1000634L | H1000634L N/A SMD or Through Hole | H1000634L.pdf | ||
PBLS6005D,115 | PBLS6005D,115 NXP SOT457 | PBLS6005D,115.pdf | ||
ENGE6 | ENGE6 AGILENT QFN | ENGE6.pdf | ||
CY7C186-35P | CY7C186-35P HAKKO SMD or Through Hole | CY7C186-35P.pdf | ||
MAX4122UK | MAX4122UK MAX SMD or Through Hole | MAX4122UK.pdf | ||
MD2533-d8G-X-P NAND FLASH MEMORY,1024MX | MD2533-d8G-X-P NAND FLASH MEMORY,1024MX M-Systems 2009 | MD2533-d8G-X-P NAND FLASH MEMORY,1024MX.pdf | ||
LM317EMP=N01A | LM317EMP=N01A National SOT-223 | LM317EMP=N01A.pdf |