창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31C821JHHNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL31C821JHHNNNE Characteristics CL31C821JHHNNNESpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 820pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 630V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3293-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL31C821JHHNNNE | |
| 관련 링크 | CL31C821J, CL31C821JHHNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 3EZ7.5D10/TR12 | DIODE ZENER 7.5V 3W DO204AL | 3EZ7.5D10/TR12.pdf | |
![]() | IXFN27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | IXFN27N80Q.pdf | |
![]() | 180K 5% 1W | 180K 5% 1W UNI-OHM 2512 | 180K 5% 1W.pdf | |
![]() | CS12N65FA9D | CS12N65FA9D CS SMD or Through Hole | CS12N65FA9D.pdf | |
![]() | GS1J-L | GS1J-L MCC DO-214AC | GS1J-L.pdf | |
![]() | GKT002 | GKT002 NVIDIA BGA | GKT002.pdf | |
![]() | NE56610-27GW | NE56610-27GW PHILIPS SOT153 | NE56610-27GW.pdf | |
![]() | P1168.474T | P1168.474T PULSE SMD or Through Hole | P1168.474T.pdf | |
![]() | D9747 | D9747 ORIGINAL ZIP | D9747.pdf | |
![]() | AS1369-BWLT-33 | AS1369-BWLT-33 austriami 4-WLCSP | AS1369-BWLT-33.pdf | |
![]() | 66380-50M011 | 66380-50M011 ATCMICROCAP SMD or Through Hole | 66380-50M011.pdf |