창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31C181JGFNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 180pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 500V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.055"(1.40mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3222-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL31C181JGFNNNE | |
| 관련 링크 | CL31C181J, CL31C181JGFNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
|  | SIHF8N50L-E3 | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP | SIHF8N50L-E3.pdf | |
|  | 2W F | 2W F CY SMD or Through Hole | 2W F.pdf | |
|  | MY2NJ-DC110V | MY2NJ-DC110V OMRON SMD or Through Hole | MY2NJ-DC110V.pdf | |
|  | S-80811ALNP-E51 | S-80811ALNP-E51 SII SOT-343 | S-80811ALNP-E51.pdf | |
|  | MBCG61115-602PF-G | MBCG61115-602PF-G FUJI QFP | MBCG61115-602PF-G.pdf | |
|  | HT-210UY/NB | HT-210UY/NB HARVATEK ROHS | HT-210UY/NB.pdf | |
|  | BZV55-A10 | BZV55-A10 PHILIPS SOD-80 | BZV55-A10.pdf | |
|  | 160MXR1500M35X35 | 160MXR1500M35X35 RUBYCON DIP | 160MXR1500M35X35.pdf | |
|  | NANO16*16 DDR | NANO16*16 DDR ORIGINAL BGA | NANO16*16 DDR.pdf | |
|  | 7C-149-45DC | 7C-149-45DC CY CDIP | 7C-149-45DC.pdf | |
|  | SRRM262400 | SRRM262400 ALPS SMD or Through Hole | SRRM262400.pdf | |
|  | HLMPP105NP000CATP | HLMPP105NP000CATP avago INSTOCKPACK500b | HLMPP105NP000CATP.pdf |