Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL31B683KBCNNNC
-C.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL31B683KBCNNNC
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CL31B683KBCNNNC 가격 및 조달
가능 수량
16550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 27.82144
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CL31B683KBCNNNC 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CL31B683KBCNNNC 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CL31B683KBCNNNC가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CL31B683KBCNNNC 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL31B683KBCNNNC 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL31B683KBCNNNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL31B683KBCNNNCSpec Sheet MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Auto Grade MLCC High Cap MLCC Family Soft Termination MLCC | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.068µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1276-1842-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL31B683KBCNNNC | |
| 관련 링크 | CL31B683K, CL31B683KBCNNNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CL31B683KBCNNNC 의 관련 제품
 | TV04A600J-HF | TVS DIODE 60VWM 96.8VC SMA | TV04A600J-HF.pdf | |
 | 5KP110A-G | TVS DIODE 110VWM 177VC R6 | 5KP110A-G.pdf | |
 | NSB8GTHE3/45 | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | NSB8GTHE3/45.pdf | |
E.jpg) | VLS2012ET-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 336 mOhm Max Nonstandard | VLS2012ET-4R7M.pdf | |
 | 125042-HMC773LC3B | EVAL BOARD HMC773LC3B | 125042-HMC773LC3B.pdf | |
| AFBR-53D5 | AFBR-53D5 AVAGO SMD or Through Hole | AFBR-53D5.pdf | |
| RP5G01 | RP5G01 ORIGINAL DIP40 | RP5G01.pdf | |
| 09K4559PQ | 09K4559PQ IBM BGA | 09K4559PQ.pdf | |
| 5025983991+ | 5025983991+ MOLEX SMD or Through Hole | 5025983991+.pdf | |
| MGP20N50 | MGP20N50 ON/IR/ TO-220 | MGP20N50.pdf | |
| 1210-10500050V | 1210-10500050V ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-10500050V.pdf |